Nur wenn man die Eigenschaften von Nanodrähten aus Silizium versteht, kann man zuverlässige Transistoren für eine neue Generation von Mikrochips bauen. In solchen Säulen-Transistoren wird der Strom nicht horizontal, sondern vertikal fließen, und sie werden energiesparender sein. Details »

Dr. Wolfgang Skorupa/ Dr. Reinhard Kögler, Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, Tel.: 0351-260-3612 sowie Dr. Peter Werner, Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik Halle